Биполярный транзистор BUR10 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BUR10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам