BUR807. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUR807

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR807

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR807 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUR606D, BUR607, BUR607D, BUR608, BUR608D, BUR61, BUR62, BUR806, B647, BUS11, BUS11-4, BUS11-6, BUS11A, BUS11B, BUS12, BUS12-4, BUS12-6