Биполярный транзистор BUS131H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUS131H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3
BUS131H Datasheet (PDF)
bus131 a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS131/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V (Min)-BUS131 500V (Min)-BUS131A APPLICATIONS Designed for use in very fast switching applications in inductive circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER MAX UNITBUS
bus13a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS13A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL
bus13.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS13 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL P
Другие транзисторы... BUS12A , BUS12B , BUS13 , BUS13-5 , BUS13-6 , BUS13-7 , BUS131 , BUS131A , 13007 , BUS132 , BUS132A , BUS132H , BUS133 , BUS133A , BUS133H , BUS13A , BUS14 .