Биполярный транзистор BUS21B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUS21B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3
BUS21B Datasheet (PDF)
1.1. bus21b c.pdf 
Size:75K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS21B/C DESCRIPTION ·High Switching Speed ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS21B 450V (Min)-BUS21C APPLICATIONS ·Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER MAX
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
