BUS22B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUS22B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUS22B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS22B даташит

 ..1. Size:77K  inchange semiconductor
 bus22b c.pdf pdf_icon

BUS22B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS22B/C DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS22B 450V (Min)-BUS22C APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

Другие транзисторы: BUS14A, BUS21, BUS21A, BUS21B, BUS21C, BUS21D, BUS22, BUS22A, 2SD1047, BUS22BF, BUS22C, BUS22CF, BUS23, BUS23A, BUS23B, BUS23BF, BUS23C