BUS23B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUS23B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUS23B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS23B даташит

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bus23 bus23a.pdf pdf_icon

BUS23B

isc Silicon NPN Power Transistors BUS23/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V (Min)-BUS23 CEO(SUS) 350V (Min)-BUS23A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы: BUS22, BUS22A, BUS22B, BUS22BF, BUS22C, BUS22CF, BUS23, BUS23A, 2SC4793, BUS23BF, BUS23C, BUS23CF, BUS24B, BUS24C, BUS36, BUS37, BUS45P