BUS98. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUS98

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUS98

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS98 даташит

 0.1. Size:324K  motorola
 bus98rev.pdf pdf_icon

BUS98

Order this document MOTOROLA by BUS98/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUS98 BUS98A Designer's Data Sheet SWITCHMODE Series 30 AMPERES NPN Silicon Power Transistors NPN SILICON The BUS98 and BUS98A transistors are designed for high voltage, high speed, POWER TRANSISTORS power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly 400 AND 450 VOLTS

 0.2. Size:208K  inchange semiconductor
 bus98a.pdf pdf_icon

BUS98

isc Silicon NPN Power Transistor BUS98A DESCRIPTION High Voltage Capability High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ulary suited for line-operated swtchmode

Другие транзисторы: BUS48A, BUS48AP, BUS48P, BUS50, BUS51, BUS52, BUS97, BUS97A, A1013, BUS98A, BUT100, BUT102, BUT11, BUT11-5, BUT11-6, BUT11-7, BUT11A