BUT131. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT131

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUT131

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT131 даташит

 ..1. Size:147K  inchange semiconductor
 but131 a.pdf pdf_icon

BUT131

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT131/A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min)- BUT131 500V(Min)- BUT131A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 0.1. Size:138K  inchange semiconductor
 but131h.pdf pdf_icon

BUT131

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT131H DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-

Другие транзисторы: BUT11AX, BUT11F, BUT12, BUT12A, BUT12AF, BUT12AFI, BUT12F, BUT13, 2SD669, BUT131A, BUT131H, BUT13P, BUT13PFI, BUT14, BUT15, BUT16, BUT18