BUT21C - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUT21C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUT21C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUT21C

 

BUT21C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:57K  philips
 but211x 1.pdf pdf_icon

BUT21C

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211X GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope specially suited for high frequency electronic lighting ballast applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage

 9.2. Size:54K  philips
 but211 1.pdf pdf_icon

BUT21C

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211 GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suited for high frequency electronic lighting ballast applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE

 9.3. Size:241K  inchange semiconductor
 but211.pdf pdf_icon

BUT21C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 850 V V

 9.4. Size:232K  inchange semiconductor
 but211x.pdf pdf_icon

BUT21C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211X DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 850 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BUT18AF , BUT18F , BUT21 , BUT211 , BUT21A , BUT21AF , BUT21B , BUT21BF , BDT88 , BUT21CF , BUT22A , BUT22B , BUT22BF , BUT22C , BUT22CF , BUT230V , BUT232V .

History: KRA311V | DDTB114EU

 

 
Back to Top

 


 
.