Биполярный транзистор BUT21C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUT21C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO220
BUT21C Datasheet (PDF)
but211x 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211X GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelopespecially suited for high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage
but211 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211 GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suitedfor high frequency electronic lighting ballast applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak value VBE
but211.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 850 V V
but211x.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211X DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 850 V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050