BUT22C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT22C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT22C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT22C даташит

 9.1. Size:107K  inchange semiconductor
 but22b c.pdf pdf_icon

BUT22C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22B 450V(Min)- BUT22C High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMET

 9.2. Size:103K  inchange semiconductor
 but22bf cf.pdf pdf_icon

BUT22C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22BF/CF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22BF 450V(Min)- BUT22CF High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PAR

Другие транзисторы: BUT21AF, BUT21B, BUT21BF, BUT21C, BUT21CF, BUT22A, BUT22B, BUT22BF, BD139, BUT22CF, BUT230V, BUT232V, BUT30, BUT32, BUT33, BUT34, BUT35