Биполярный транзистор BUT30 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUT30
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO66
BUT30 Datasheet (PDF)
but30v.pdf
BUT30VNPN TRANSISTOR POWER MODULE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEAPPLICATIONS: Pin 4 not connected MOTOR CONTROL SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAX
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050