BUT35 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT35  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT35 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUT22C, BUT22CF, BUT230V, BUT232V, BUT30, BUT32, BUT33, BUT34, BC548, BUT36, BUT46, BUT46A, BUT50P, BUT51P, BUT54, BUT55, BUT56