BUT51P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT51P  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT51P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT51P даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUT32, BUT33, BUT34, BUT35, BUT36, BUT46, BUT46A, BUT50P, 2SA1943, BUT54, BUT55, BUT56, BUT56A, BUT56A-668, BUT56T, BUT57, BUT57I