Биполярный транзистор BUT55 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BUT55
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам