BUT56T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT56T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUT56T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT56T даташит

 9.1. Size:119K  inchange semiconductor
 but56 but56a.pdf pdf_icon

BUT56T

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 9.2. Size:214K  inchange semiconductor
 but56af.pdf pdf_icon

BUT56T

isc Silicon NPN Power Transistor BUT56AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching High Power Dissipation With TO-220Fa Package 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply applications. ABSOLUTE MAXIM

Другие транзисторы: BUT46A, BUT50P, BUT51P, BUT54, BUT55, BUT56, BUT56A, BUT56A-668, D882, BUT57, BUT57I, BUT60, BUT62, BUT70, BUT70I, BUT71, BUT71I