BUT90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT90

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUT90

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT90 даташит

 ..1. Size:46K  st
 but90.pdf pdf_icon

BUT90

BUT90 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS LOW COLLECTOR EMITTER SATURATION APPLICATIONS UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY 1 MOTOR CONTROL 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT TO-3 DESCRIPTION (version "S") The BUT90 is a Multiepitaxial Planar NPN Transistor in TO-3 package. It is

Другие транзисторы: BUT70, BUT70I, BUT71, BUT71I, BUT72, BUT72I, BUT76, BUT76A, BC327, BUT91, BUT92, BUT92A, BUT93, BUV10N, BUV11, BUV11CECC, BUV11N