Справочник транзисторов. BUV11

 

Биполярный транзистор BUV11 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUV11

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  inchange semiconductor
 buv11.pdf pdf_icon

BUV11

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V (Max.) @IC= 6A High Switching Speed High DC Current Gain- : hFE= 20(Min.) @IC= 6A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER V

 0.1. Size:138K  motorola
 buv11rev.pdf pdf_icon

BUV11

Order this documentMOTOROLAby BUV11/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV11SWITCHMODE Series20 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high current, high speed, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A200 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A150 WATTS Very fast switc

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: A1297 | BC108C | 2SD2296 | CV7638 | IDB1023 | CSA984E

 

 
Back to Top

 


 
.