BUV21N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV21N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV21N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV21N даташит

 9.1. Size:139K  motorola
 buv21rev.pdf pdf_icon

BUV21N

Order this document MOTOROLA by BUV21/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUV21 SWITCHMODE Series 40 AMPERES NPN Silicon Power Transistor NPN SILICON POWER . . . designed for high speed, high current, high power applications. METAL TRANSISTOR High DC current gain 200 VOLTS hFE min. = 20 at IC = 12 A 250 WATTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A Very fast switching

 9.2. Size:190K  onsemi
 buv21.pdf pdf_icon

BUV21N

BUV21 SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power Transistor This device is designed for high speed, high current, high power applications. http //onsemi.com Features 40 AMPERES High DC Current Gain NPN SILICON POWER hFE min = 20 at IC = 12 A METAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat) 200 VOLTS - 250 WATTS max = 0.6 V at IC = 8 A Very Fast Switching Times NPN TF max = 0.4

 9.3. Size:70K  onsemi
 buv21-d.pdf pdf_icon

BUV21N

BUV21 SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power Transistor This device is designed for high speed, high current, high power applications. http //onsemi.com Features 40 AMPERES High DC Current Gain NPN SILICON POWER hFE min = 20 at IC = 12 A METAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat) 200 VOLTS - 250 WATTS max = 0.6 V at IC = 8 A Very Fast Switching Times TF max = 0.4 ms at

 9.4. Size:117K  inchange semiconductor
 buv21.pdf pdf_icon

BUV21N

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUV21 DESCRIPTION With TO-3 package High DC current gain@IC=12A Fast switching times Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for high current,high speed and high power applications. PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUV11N, BUV12, BUV18, BUV18X, BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21, TIP127, BUV22, BUV23, BUV24, BUV25, BUV26, BUV26A, BUV26F, BUV26FI