BUV24. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV24

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV24

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV24 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv24.pdf pdf_icon

BUV24

isc Silicon NPN Power Transistor BUV24 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V (Max.)@I = 6A CE(sat) C High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min.) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power switching applications in military and indus

Другие транзисторы: BUV18X, BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21, BUV21N, BUV22, BUV23, 2SC2625, BUV25, BUV26, BUV26A, BUV26F, BUV26FI, BUV27, BUV27A, BUV27F