BUV37. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV37

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV37

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV37 даташит

 ..1. Size:251K  inchange semiconductor
 buv37.pdf pdf_icon

BUV37

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV37 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 2.0V(Max.)@ IC= 10A APPLICATIONS Designed for use in automotive ignition circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collecto

Другие транзисторы: BUV28FI, BUV296AV, BUV298AV, BUV298CV, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BC549, BUV39, BUV40, BUV406, BUV41, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A