BUV40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV40

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV40

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV40 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 buv40.pdf pdf_icon

BUV40

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV40 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 5.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 250 V VB

Другие транзисторы: BUV298AV, BUV298CV, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, 2SA1015, BUV406, BUV41, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI