BUV52A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV52A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV52A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV52A даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 buv52a.pdf pdf_icon

BUV52A

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52A DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.9V (Max.) @I = 7A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAM

 9.1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv52.pdf pdf_icon

BUV52A

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52 DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V (Max.) @I = 4A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

Другие транзисторы: BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51, BUV52, C1815, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A