Биполярный транзистор BUV60 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV60
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
BUV60 Datasheet (PDF)
..1. Size:49K st
buv60.pdf
buv60.pdf
BUV60SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPEn FAST SWITCHING TIMESn LOW SWITCHING LOSSESn VERY LOW SATURATION VOLTAGE ANDHIGH GAIN FOR REDUCED LOADOPERATION12TO-3INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitV Collector-emitter Voltage (V = -1.5V) 250 VCEV BEV Collector-emitter Voltage (I = 0) 125 VCEO B
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050