BUV60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV60

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV60 даташит

 ..1. Size:49K  st
 buv60.pdf pdf_icon

BUV60

BUV60 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE n FAST SWITCHING TIMES n LOW SWITCHING LOSSES n VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN FOR REDUCED LOAD OPERATION 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V Collector-emitter Voltage (V = -1.5V) 250 V CEV BE V Collector-emitter Voltage (I = 0) 125 V CEO B

Другие транзисторы: BUV50, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, C5198, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A, BUV70, BUV70F