BUV62. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV62

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV62

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV62 даташит

 0.1. Size:204K  inchange semiconductor
 buv62a.pdf pdf_icon

BUV62

isc Silicon NPN Power Transistor BUV62A DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61, S8050, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F