BUV66A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUV66A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUV66A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV66A даташит

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv66.pdf pdf_icon

BUV66A

isc Silicon NPN Power Transistor BUV66 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы: BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, 13007, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, BUV83