BUW11F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW11F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: ISOTOP3

 Аналоги (замена) для BUW11F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW11F даташит

 ..1. Size:72K  philips
buw11f 1.pdfpdf_icon

BUW11F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11F; BUW11AF Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11F; BUW11AF DESCRIPTION High-voltage, high-speed, ook, halfpage glass-passivated NPN power transistor in

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
buw11f.pdfpdf_icon

BUW11F

isc Silicon NPN Power Transistor BUW11F DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 850 V CBO V Collector-Emitter

 ..3. Size:125K  inchange semiconductor
buw11f buw11af.pdfpdf_icon

BUW11F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUW11F BUW11AF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage ;high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter l Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

 9.1. Size:79K  philips
buw11w buw11aw 1.pdfpdf_icon

BUW11F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11W; BUW11AW Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11W; BUW11AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 package. e APPLICATIONS Converte

Другие транзисторы: BUV98A, BUV98AV, BUV98BV, BUV98CV, BUV98V, BUW11, BUW11A, BUW11AF, 2SA1837, BUW12, BUW12A, BUW12AF, BUW12F, BUW13, BUW131, BUW131A, BUW131H