BUW17. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW17

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW17

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW17 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 buw17.pdf pdf_icon

BUW17

isc Silicon NPN Power Transistor BUW17 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

Другие транзисторы: BUW133, BUW133A, BUW133H, BUW13A, BUW13AF, BUW13F, BUW14, BUW16, 2SC2655, BUW18, BUW22, BUW22A, BUW22AP, BUW22P, BUW23, BUW24, BUW25