BUW36. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW36

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW36 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 buw36.pdf pdf_icon

BUW36

isc Silicon NPN Power Transistor BUW36 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

Другие транзисторы: BUW32, BUW32A, BUW32AP, BUW32APFI, BUW32P, BUW32PFI, BUW34, BUW35, MPSA42, BUW37, BUW38, BUW39, BUW40, BUW40A, BUW40B, BUW41, BUW41A