BUW45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW45

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW45 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 buw45.pdf pdf_icon

BUW45

isc Silicon NPN Power Transistor BUW45 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended in fast switching applications for high output powers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

Другие транзисторы: BUW41B, BUW42, BUW42A, BUW42AP, BUW42APFI, BUW42P, BUW42PFI, BUW44, TIP41C, BUW46, BUW48, BUW49, BUW50, BUW51, BUW52, BUW52I, BUW57