BUX11N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX11N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX11N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX11N даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux11n.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11N DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor control Linear and switching industrial equipment Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 9.1. Size:124K  comset
 bux11.pdf pdf_icon

BUX11N

NPN BUX11 HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTOR TRANSISTOR The BUX11 is silicon multiepitaxial planar NPN transistors in Jedec TO-3. They are intended for use in switching and linear appications in military and industrial equipments. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage IB = 0 200 V VCB

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bux11.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor control Linear and switching industrial equipment Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 9.3. Size:215K  inchange semiconductor
 bux11p.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11P DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor control Linear and switching industrial equipment Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUX10, BUX100, BUX10A, BUX10CECC, BUX10P, BUX11, BUX11A, BUX11CECC, 2SD313, BUX11P, BUX12, BUX12A, BUX12CECC, BUX12P, BUX13, BUX13CECC, BUX14