Справочник транзисторов. BUX11N

 

Биполярный транзистор BUX11N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUX11N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUX11N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX11N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux11n.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11NDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlLinear and switching industrial equipmentAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

 9.1. Size:124K  comset
 bux11.pdf pdf_icon

BUX11N

NPN BUX11 HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTORTRANSISTORThe BUX11 is silicon multiepitaxial planar NPN transistors in Jedec TO-3. They are intended for use in switching and linear appications in military and industrial equipments. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage IB = 0 200 VVCB

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bux11.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlLinear and switching industrial equipmentAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

 9.3. Size:215K  inchange semiconductor
 bux11p.pdf pdf_icon

BUX11N

isc Silicon NPN Power Transistor BUX11PDESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlLinear and switching industrial equipmentAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2N5195

 

 
Back to Top

 


 
.