BUX13CECC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX13CECC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX13CECC

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX13CECC даташит

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux13.pdf pdf_icon

BUX13CECC

isc Silicon NPN Power Transistor BUX13 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching circuits Motor control Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 400 V CBO C

Другие транзисторы: BUX11CECC, BUX11N, BUX11P, BUX12, BUX12A, BUX12CECC, BUX12P, BUX13, C3198, BUX14, BUX14CECC, BUX15, BUX15CECC, BUX16, BUX16A, BUX16B, BUX16C