BUX16C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX16C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 425 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX16C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX16C даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux16 bux16a bux16b bux16c.pdf pdf_icon

BUX16C

isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min)- BUX16 CEO(SUS) = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators,

 9.1. Size:89K  inchange semiconductor
 bux16 a b c.pdf pdf_icon

BUX16C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 200V(Min)- BUX16 = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators, power amplifiers, Inver

Другие транзисторы: BUX13CECC, BUX14, BUX14CECC, BUX15, BUX15CECC, BUX16, BUX16A, BUX16B, D209L, BUX17, BUX17A, BUX17B, BUX17C, BUX18, BUX18B, BUX18C, BUX20