Справочник транзисторов. BUX16C

 

Биполярный транзистор BUX16C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUX16C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 425 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUX16C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX16C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux16 bux16a bux16b bux16c.pdf pdf_icon

BUX16C

isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/CDESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)- BUX16CEO(SUS)= 250V(Min)- BUX16A= 300V(Min)- BUX16B= 350V(Min)- BUX16CHigh Power DissipationWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in series regulators,

 9.1. Size:89K  inchange semiconductor
 bux16 a b c.pdf pdf_icon

BUX16C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 200V(Min)- BUX16 = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation APPLICATIONSDesigned for use in series regulators, power amplifiers, Inver

Другие транзисторы... BUX13CECC , BUX14 , BUX14CECC , BUX15 , BUX15CECC , BUX16 , BUX16A , BUX16B , BC556 , BUX17 , BUX17A , BUX17B , BUX17C , BUX18 , BUX18B , BUX18C , BUX20 .

History: HT882 | 2N592 | 2N5641 | 2N918ADCSM | 2N985 | 2N6935 | HSD1609S

 

 
Back to Top

 


 
.