BUX18B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX18B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX18B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX18B даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux18 bux18a bux18b bux18c.pdf pdf_icon

BUX18B

isc Silicon NPN Power Transistors BUX18/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min)- BUX18 CEO(SUS) = 325V(Min)- BUX18A = 375V(Min)- BUX18B = 425V(Min)- BUX18C High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in off-line power supplies an

Другие транзисторы: BUX16A, BUX16B, BUX16C, BUX17, BUX17A, BUX17B, BUX17C, BUX18, 2SD669A, BUX18C, BUX20, BUX20A, BUX21, BUX22, BUX23, BUX24, BUX25