BUX30AVB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX30AVB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX30AVB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX30AVB даташит

 9.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bux30.pdf pdf_icon

BUX30AVB

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BUX30 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Reliability DARLINGTON 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: BUX25-TO258, BUX26, BUX27, BUX28, BUX28V, BUX29, BUX30, BUX30AVA, MJE350, BUX30AVC, BUX31, BUX31A, BUX31B, BUX32, BUX32A, BUX32B, BUX33