BUX31B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX31B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX31B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX31B даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bux31 bux31a bux31b.pdf pdf_icon

BUX31B

isc Silicon NPN Power Transistors BUX31/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min)-BUX31 CEO(SUS) = 450V (Min)-BUX31A = 500V (Min)-BUX31B Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for u

 9.1. Size:77K  inchange semiconductor
 bux31 a b.pdf pdf_icon

BUX31B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX31/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUX31 = 450V (Min)-BUX31A = 450V (Min)-BUX31B Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for use in a wide range of invert

Другие транзисторы: BUX28V, BUX29, BUX30, BUX30AVA, BUX30AVB, BUX30AVC, BUX31, BUX31A, B647, BUX32, BUX32A, BUX32B, BUX33, BUX33A, BUX33B, BUX34, BUX348