Биполярный транзистор BUX31B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX31B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
BUX31B Datasheet (PDF)
bux31 bux31a bux31b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUX31/A/BDESCRIPTION High Switching SpeedCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)-BUX31CEO(SUS)= 450V (Min)-BUX31A= 500V (Min)-BUX31BLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for off-line power supplies and are also well suitedfor u
bux31 a b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX31/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUX31 = 450V (Min)-BUX31A = 450V (Min)-BUX31B Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for use in a wide range of invert
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050