BUX32A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX32A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX32A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX32A даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux32 bux32a bux32b.pdf pdf_icon

BUX32A

isc Silicon NPN Power Transistors BUX32/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min)-BUX32 CEO(SUS) = 450V (Min)-BUX32A = 450V (Min)-BUX32B Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for u

 9.1. Size:76K  inchange semiconductor
 bux32 a b.pdf pdf_icon

BUX32A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX32/A/B DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUX32 = 450V (Min)-BUX32A = 450V (Min)-BUX32B Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for off-line power supplies and are also well suited for use in a wide range of invert

Другие транзисторы: BUX30, BUX30AVA, BUX30AVB, BUX30AVC, BUX31, BUX31A, BUX31B, BUX32, D667, BUX32B, BUX33, BUX33A, BUX33B, BUX34, BUX348, BUX348A, BUX348APF