Биполярный транзистор BUX47B Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BUX47B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BUX47B Datasheet (PDF)
bux47b.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX47BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching mode power supplies, CRT scanning,inverters, and other industrial applications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBO
bux47 bux47a buv47 buv47a bux47 bux47a buv47fi buv47afi.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By I
bux47smd.pdf

BUX47SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 400V IC = 9A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0
bux47a.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX47ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V (Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, fast switching applications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter Voltage
Другие транзисторы... BUX43 , BUX44 , BUX45 , BUX46 , BUX46A , BUX46B , BUX47 , BUX47A , 2SC4793 , BUX48 , BUX48A , BUX48B , BUX48C , BUX49 , BUX49S , BUX50 , BUX50C .
History: UNR5113 | BD537A | CD1602 | BDX67 | SD451 | UMB6N | BF298W
History: UNR5113 | BD537A | CD1602 | BDX67 | SD451 | UMB6N | BF298W



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65