BUX47B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX47B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX47B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX47B даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 bux47b.pdf pdf_icon

BUX47B

isc Silicon NPN Power Transistor BUX47B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min) CEO(SUS) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching mode power supplies, CRT scanning, inverters, and other industrial applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO

 9.1. Size:215K  st
 bux47 bux47a buv47 buv47a bux47 bux47a buv47fi buv47afi.pdf pdf_icon

BUX47B

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By I

 9.2. Size:10K  semelab
 bux47smd.pdf pdf_icon

BUX47B

BUX47SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 400V IC = 9A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0

 9.3. Size:203K  inchange semiconductor
 bux47a.pdf pdf_icon

BUX47B

isc Silicon NPN Power Transistor BUX47A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V (Min) CEO(SUS) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUX43, BUX44, BUX45, BUX46, BUX46A, BUX46B, BUX47, BUX47A, TIP31C, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, BUX49, BUX49S, BUX50, BUX50C