BUX67. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX67

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BUX67

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX67 даташит

 ..1. Size:158K  inchange semiconductor
 bux67 a b c.pdf pdf_icon

BUX67

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 2A Power Dissipation-PD=35W @TC= 25 Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation for high-voltage operational amplifiers, s

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bux67 bux67a bux67b bux67c.pdf pdf_icon

BUX67

isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = 2A C Power Dissipation-P =35W @T = 25 D C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.5V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation f

Другие транзисторы: BUX62, BUX63, BUX64, BUX65, BUX66, BUX66A, BUX66B, BUX66C, C3198, BUX67A, BUX67B, BUX67C, BUX67D, BUX69, BUX70, BUX71, BUX72