Биполярный транзистор BUX83-9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX83-9
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
BUX83-9 Datasheet (PDF)
9.1. Size:205K inchange semiconductor
bux82 bux83.pdf
bux82 bux83.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)-BUX82(BR)CEO= 450V(Min)-BUX83High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at highvoltage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
Другие транзисторы... BUX81 , BUX81-9 , BUX82 , BUX82-4 , BUX82-5 , BUX82-6 , BUX82-7 , BUX83 , TIP142 , BUX84 , BUX84-6 , BUX84F , BUX85 , BUX85F , BUX86 , BUX86-4 , BUX86-5 .
