Биполярный транзистор BUX86 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX86
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO126
BUX86 Datasheet (PDF)
0.1. Size:41K philips
bux86p 87p 1.pdf
bux86p 87p 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use inconverters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITBUX 86P 87
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
