BUX86-7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX86-7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BUX86-7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX86-7 даташит

 9.1. Size:41K  philips
 bux86p 87p 1.pdf pdf_icon

BUX86-7

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTION High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT BUX 86P 87

 9.2. Size:107K  siemens
 bux86 bux87.pdf pdf_icon

BUX86-7

Другие транзисторы: BUX84-6, BUX84F, BUX85, BUX85F, BUX86, BUX86-4, BUX86-5, BUX86-6, 2SC5200, BUX86P, BUX87, BUX87-9, BUX87P, BUX88, BUX90, BUX91, BUX92