BUY55-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUY55-10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUY55-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUY55-10 даташит

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 buy55.pdf pdf_icon

BUY55-10

isc Silicon NPN Power Transistor BUY55 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 125V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general switching applications at higher outputs. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: BUY51A, BUY52, BUY52A, BUY53, BUY53A, BUY54, BUY54A, BUY55, B647, BUY55-4, BUY55-6, BUY56, BUY56-10, BUY56-4, BUY56-6, BUY57, BUY58