Справочник транзисторов. C651

 

Биполярный транзистор C651 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: C651
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для C651

 

 

C651 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:71K  fairchild semi
ndc651n.pdf

C651
C651

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tailored t

 0.2. Size:427K  kec
krc651u-krc656u.pdf

C651
C651

SEMICONDUCTOR KRC651U~KRC656UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High Pa

 0.3. Size:394K  kec
krc651f-krc654f.pdf

C651
C651

SEMICONDUCTOR KRC651F~KRC654FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.DIM MILLIMETERSHigh Packing Density._+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Thin Fine Pitch Super mi

 0.4. Size:70K  kec
krc651e-krc656e.pdf

C651
C651

SEMICONDUCTOR KRC651E~KRC656ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top