Биполярный транзистор C651 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C651
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39
C651 Datasheet (PDF)
ndc651n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tailored t
krc651u-krc656u.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC651U~KRC656UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.1 5DIM MILLIMETERS_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.202 _A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D_B1 1.25 + 0.1High Pa
krc651f-krc654f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC651F~KRC654FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.DIM MILLIMETERSHigh Packing Density._+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Thin Fine Pitch Super mi
krc651e-krc656e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC651E~KRC656ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.1 5 DIM MILLIMETERS_A 1.6 0.05+Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 1.0 0.052_+B 1.6 0.05High Packing Density._
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .