C652. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: C652
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для C652
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
C652 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: C5T5551, C5T6539, C5T6540, C5T918, C6, C63, C64, C651, 2SC4793, C7, C7076, C720, C722, C740, C742, C744, C760
History: BD107 | 2N3266
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet