CDQ10012 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDQ10012  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDQ10012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDQ10012 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: CDQ10004, CDQ10005, CDQ10006, CDQ10007, CDQ10008, CDQ10009, CDQ10010, CDQ10011, 2SC828, CDQ10013, CDQ10014, CDQ10015, CDQ10016, CDQ10017, CDQ10018, CDQ10019, CDQ10020