CJD112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJD112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для CJD112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD112 даташит

 9.1. Size:99K  cdil
 cjd110 5.pdf pdf_icon

CJD112

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CJD110 NPN COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS CJD115 PNP DPAK (TO-252) Plastic Package Designed for General Purpose Power and Switching such as Output or Driver stages in Applications such as Switching Regulators, Converters and Power Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPT

Другие транзисторы: CIL771, CIL772, CIL773, CIL911, CIL912, CIL931, CIL932, CIL997, 13005, CJD117, CJD122, CJD127, CJD13003, CJD200, CJD210, CJD2955, CJD3055