Биполярный транзистор CJD112 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: CJD112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: DPAK
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам