Биполярный транзистор CJD112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CJD112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: DPAK
CJD112 Datasheet (PDF)
9.1. Size:99K cdil
cjd110 5.pdf
cjd110 5.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCJD110 NPNCOMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORSCJD115 PNPDPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Power and Switching such as Output or Driver stages in Applications such as SwitchingRegulators, Converters and Power AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPT
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
