CJD210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJD210

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для CJD210

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD210 даташит

 0.1. Size:419K  central
 cjd200-cjd210.pdf pdf_icon

CJD210

CJD200 NPN CJD210 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORS types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER DPAK TRANSISTOR CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unless otherwise

Другие транзисторы: CIL932, CIL997, CJD112, CJD117, CJD122, CJD127, CJD13003, CJD200, D965, CJD2955, CJD3055, CJD31C, CJD32C, CJD340, CJD350, CJD41C, CJD42C