2N3390 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N3390 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N3390
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 2N3390

2N3390 Datasheet (PDF)

..1. Size:296K fairchild semi
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologies2N33902N33912N3391A2N33922N3393B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO

..2. Size:61K microelectronics
mps2711 2n2711 mps2712 2n2712 mps2716 2n2716 mps2923 2n2923 mps2924 2n2924 mps2925 2n2925 mps3390 2n3390 mps3391 2n3391 mps3392 2n3392 mps6573 mps6574.pdf