Биполярный транзистор CP801 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CP801
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
CP801 Datasheet (PDF)
tpcp8013.pdf
TPCP8013MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCP8013TPCP8013TPCP8013TPCP80131. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Small gate charge : QSW = 4.5 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 41.5 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8010.pdf
TPCP8010MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCP8010TPCP8010TPCP8010TPCP80101. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Small gate charge : QSW = 4.9 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19.1 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8011.pdf
TPCP8011MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCP8011TPCP8011TPCP8011TPCP80111. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Small gate charge : QSW = 4.7 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 25.5 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8012.pdf
TPCP8012MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCP8012TPCP8012TPCP8012TPCP80121. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Small gate charge : QSW = 10 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 16.2 m (typ.) (VGS = 10 V)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050