CP801. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CP801
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для CP801
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CP801 даташит
tpcp8013.pdf
TPCP8013 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCP8013 TPCP8013 TPCP8013 TPCP8013 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge QSW = 4.5 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 41.5 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8010.pdf
TPCP8010 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCP8010 TPCP8010 TPCP8010 TPCP8010 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge QSW = 4.9 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 19.1 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8011.pdf
TPCP8011 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCP8011 TPCP8011 TPCP8011 TPCP8011 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge QSW = 4.7 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 25.5 m (typ.) (VGS = 10 V
tpcp8012.pdf
TPCP8012 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCP8012 TPCP8012 TPCP8012 TPCP8012 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge QSW = 10 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 16.2 m (typ.) (VGS = 10 V)
Другие транзисторы: CP431, CP432, CP433, CP657, CP701, CP702, CP703, CP704, 2N2222, CP802, CP803, CP98, CPS1540B, CPS1545B, CPS1550B, CPS2510B, CPS2512B
History: BUS14
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet




