Биполярный транзистор CT5606 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: CT5606
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2000 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: DISK55
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам